【ex官网登陆】东芯半导体-8Gb SPI NAND Flash （ DS35X8GM-A1X ） | 申报2026第八届金辑奖最佳技术实践应用奖

申报奖项：最佳技术实践应用奖

申报领域：车规级芯片

申报技术：8Gb SPI NAND Flash ( DS35X8GM-A1X )

创新点：符合 AEC-Q100 Grade1标准 串行存储方案，东芯第届小尺寸高可靠

技术描述：

电压/Voltage：1.8V/ 3.3V

温度/Temperature： -40℃~125℃

容量/Density： 8Gb

封装/Package：BGA24 / LGA8x6

速度/Speed：83MHz / 104MHz

产品通过AEC-Q100 Grade1认证，半导作为单芯片设计的申报术实串行通信方案，引脚少、金辑奖最佳技践封装尺寸小，用奖ex官网登陆且在同一颗粒上集成了存储阵列和控制器，东芯第届ex中文官网并带有内部ECC模块，半导使其在满足数据传输效率的申报术实同时，既节约了空间，金辑奖最佳技践又提升了稳定性。用奖在车规领域，东芯第届广泛运用在通讯模组，半导蓝牙，申报术实ex官网中文版辅助驾驶，金辑奖最佳技践ADAS，用奖前视一体机，智慧座舱，倒车雷达，汽车仪表盘等场景模块中。

“金辑奖”由盖世汽车发起，秉承“发现好公司、推广好技术、成就产业人”的使命。2026年，第八届金辑奖以“中国方案向全球”为年度主题，聚焦汽车产业核心技术与创新赛道，寻找在中国市场形成、经过中国汽车产业验证，并具备全球复制价值的技术、产品、工程体系与产业协同能力。围绕真实问题、产业验证、全球适配与长期价值，金辑奖将依托盖世汽车32万家企业供应链数据库及产业研究能力，通过企业申报、产业数据和专家评审等多维度评价，发现具有产业价值与全球潜力的创新成果，并进一步沉淀为面向全球汽车产业的创新案例库。